檢測介質(zhì)損耗須知的內(nèi)容

（1）在絕緣設(shè)計(jì)時(shí)，必須注意絕緣材料的tanδ 值。若tanδ 值過大則會引起嚴(yán)重發(fā)熱，使絕緣加速老化，甚至可能導(dǎo)致熱擊穿。而在直流電壓下，tanδ 較小而可用于制造直流或脈沖電容器。

（2） 正切值tanδ反映了絕緣的狀況，可通過測量 tanδ=f（ф）的關(guān)系曲線來判斷從良狀態(tài)向劣化狀態(tài)轉(zhuǎn)化的進(jìn)程，故tanδ的測量是電氣設(shè)備絕緣試驗(yàn)中的一個(gè)基本項(xiàng)目。

（3）通過研究溫度對tanδ值的影響，力求在工作溫度下的tanδ值為小值而避開大值。

（4）極化損耗隨頻率升高而增大，尤其電容器采用極性電介質(zhì)時(shí)，其極化損耗隨頻率升高增加很快，當(dāng)電源中出現(xiàn)高次（如3次、5次）諧波時(shí)，就很容易造成電容器絕緣材料因過熱而擊穿。

（5）用于沖擊測量的連接電纜，其絕緣的tanδ必須很小，否則所測沖擊電壓通過電纜后將發(fā)生嚴(yán)重的波形畸變，影響到測量的準(zhǔn)確性。揚(yáng)州豪泰提供-檢測介質(zhì)損耗須知的內(nèi)容。